انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه      انجام پایان نامه-انجام پروژه

 

انجام پایان نامه

 

پایان نامه 

 

مشاوره پایان نامه

انجام پایان نامه مهندسی برق الکترونیک Electrical engineering and electronics

انجام پایان نامه مهندسی برق الکترونیک Electrical engineering and electronics 

دپارتمان مهندسی برق در گروه مشاوران ایران تز از دانشجویان و فارغ التحصیلان دانشگاه شریف و تهران می باشد.این دپارتمان در حوزه چاپ مقالات و پروپوزال و پایان نامه آماده همکاری با دانشجویان می باشد.گرایش هایی از رشته ی مهندسی برق که کارشناسان ایران تز در آنها آمادگی همکاری با دانشجویان را دارند به شرح زیر می باشد:

انجام پایان نامه مهندسی برق در گرایش های زیر:

انجام پایان نامه مهندسی برق مخابرات

انجام پایان نامه مهندسی برق قدرت

انجام پایان نامه مهندسی برق الکترونیک

انجام پایان نامه مهندسی برق کنترل

انجام پایان نامه مهندسی برق دیجیتال

انجام پایان نامه مهندسی برق مهندسی پزشکی

گروه مشاوران ایران تز آمادگی همکاری با دانشجویان در زمینه های مختلف مهندسی برق از جمله هوش مصنوعی,پردازش تصویر ,داده کاوی ,الگوریتم های تکاملی همچون الگوریتم ژنتیک ,شبیه سازی تبرید,الگوریتم انبوه ذرات ,برنامه نویسی میکروکنترلر ,شبیه سازی مبدل آنالوگ به دیجیتال و بالعکس ,مدلسازی سیستم قدرت, پایداری و حفاظت سیستم قدرت  ,طراحی کنترل کننده سیستم قدرت, انرژی های نو ,تجدیدساختار و بهره برداری را دارا می باشند.

انتخاب موضوع و نگارش پروپوزال مهندسی برق:

نگارش پروپوزال مهندسی برق یکی از گامهای اولیه و مهم در انجام پایان نامه مهندسی برق می باشد.از آنجا که بسیاری از دانشجویان در نحوه ی نگارش پروپوزال خود دچار مشکلاتی می گردند ارائه ی مشاوره ی رایگان از جمله فعالیت های گروه مشاوران ایران تز قرار گرفته است.به همین منظور شما می توانید با مشاوران رشته ی خود در ارتباط بوده و سوالات خود را در زمینه ی تخصصی مطرح نمایید.

عنوان پروژه:کنترل سیستم های تاخیردار در ورودی با فیدبک مشتق حالت

چکیده:این گزارش بر اساس طرح مساله کنترل اچ بی نهایت سیستمهای تاخیردار با تاخیر در ورودی با فیدبک مشتق حالت تدوین شده است.اعمال فیدبک مشتق حالت به سیستمهای تاخیردار با تاخیر در ورودی منجر به یک سیستم حلقه بسته ای می گردد که به آن اصطلاحا سیستم تاخیردار هم تراز گفته می شود.این فیدبک خاص که در مسائل کنترل کاربرد دارد چالشهای جدیدی را در تئوری سیستم های هم تراز به وجود می آورد.از لحاظ مدل ریاضی نمایش سیستم های هم تراز حالت کلی تر نمایش سیستمهای تاخیرداری است که تنها در متغیر حالت آنها تاخیر ظاهر می گردد در نتیجه تحقیقات انجام شده در زمینه سیستمهای هم تراز معمولا تعمیم نتایج بدست آمده بر روی اینگونه سیستمها است که معمولا چالش های زیادی را نیز ایجاد می کند.به دلیل پیوستگی تحقیقات در این زمینه سعی شده است که در این گزارش ضمن معرفی سیستمهای تاخیردار با تاخیر در متغیر حالت و همچنین سیستمهای به همین دلیل تراز سیر تحقیقات انجام گرفته در این زمینه مورد بررسی قرار گیرد.با توجه به کارآمد بودن نامساویهای ماتریسی خطی در حل مسائل کنترل اعم از سیستمهای تاخیردار و بدون تاخیر معرفی این نامساویها و کاربردهای آن نیز یکی دیگر از مباحثی است که به آن پرداخته شده است.تحقیقاتی که تاکنون در زمینه سیستمهای تاخیردار انجام گرفته اند همگی اینگونه سیستمها را با یک رویکرد مورد بررسی قرار داده اند.ما در این پیشنهاد رویکرد تازه ای را معرفی می نماییم که هم از نظر کاربردی نسبت به رویکرد قبلی حائز اهمیت است و هم از لحاظ تئوری.علاوه بر اینکه عمومیت بیشتری نسبت به رویکرد پیشین دارد چالشهای جدیدی را در حل مساله ایجاد می نماید.در نهایت موضوعات پیشنهادی مطروحه در این گزارش بر اساس این رویکرد جدید و در سه مرحله عنوان شده است.

کلیدواژه ها:سیستم تاخیردار ، فیدبک ،نامساوی ماتریسی خطی ، مشتق حالت.

عنوان پروژه:طراحی تقویت کننده جریان-ولتاژ و تقویت کننده اصلی سیموس برای گیرنده فیبر نوری فرکانس بالا

چکیده:هدف از این پروژه ،طراحی یک تقویت کننده اپتوالکترونیکی برای کاربرد در گیرنده فیبر نوری ،سازگار با انواع استانداردها و با استفاده از تکنولوژی سیموس می باشد.این تقویت کننده از دو قسمت اصلی تقویت کننده جریان-ولتاژ و تقویت کننده اصلی و به همراه فیدبک حذف افست دی.سی و بافر خروجی تشکیل شده است.و وظیفه آن تبدیل جریان میکروآمپری تا میلی آمپری فتودیود به ولتاژ در حد سطوح منطقی دیجیتال است.مشکل اصلی در طراحی این تقویت کننده ، تریداف شدید بین پارامترهای اصلی ،بویژه بهره ،توان ،نویز و پهنای باند انجام پایان نامه می باشد که نیازمند طرحی بهینه برای تحت پوشش قراردادن تمام شرایط مورد نیاز در فرکانس کاری مد نظر است.مزیت اصلی این طرح ،عدم بکارگیری سلف در طراحی تقویت کننده اصلی می باشد.(سلفها سطح زیادی از نیمه هادی را به خود اختصاص داده و هزینه طرح را بسیار بالاتر می برند).سایر مزیتهای این طرح در مقایسه با دیگر طرحها عبارت است از :بهره، حساسیت و سوئینگ خروجی بالا،توان مصرفی و پهنای باند مناسب و طرح مجموعه تقویت کننده های گیرنده در یک آی سی.

کلیدواژه ها:تقویت کننده،فیبرنوری،تکنولوژی سیموس،حذف افست،بهره.

عنوان پروژه: طراحي و ساخت منبع تغذيه سوئيچينگ با راندمان و ضريب توان بالا

چکیده: مسلما هر سیستم الکترونیکی نیاز به یک منبع تغذیه دارد. با توجه به کوچکتر شدن این وسایل و نیاز به صرفه جوئی بیشتر در انرژی باید سعی شود که بازدهی منابع تغذیه حتی الامکان زیاد باشد. به همین جهت امروزه در اکثر سیستمها از منابع تغذیه سوئیچی که دارای تلفات انرژی، حجم و وزن کمتری نسبت به منابع خطی هستند، استفاده می شود. به همین دلیل در اجرای این پروژه سعی شده است که یک منبع تغذیه با توان خروجی ماکزیمم ۱/۲ کیلووات با راندمان بالا طراحی و ساخته شده است. به تا توان نسبتا بالای خروجی برای ساخت مبدل اصلی از ساختار تمام پل (Full-bridge) استفاده شده است. برای بهبود راندمان و همچنین با توجه به کیفیت برق شهر قبل از مبدل اصلی از یک مبدل تصحیح ضریب توانا(PFC:PowerFactor Correction) استفاده شده است. به علت اهمیت خاصی و مشکلات ساختاری که قسمت PFC دارد عمده کار انجام شده معطوف این قسمت شده است. برای پیاده سازی PFC از ساختار Boost استفاده شده است و به منظور انعطاف پذیری اعمال و بررسی روشهای کنترلی و پیاده سازی الگوریتمهای مورد نظر به عنوان کنترلر از یک پردازنده سیگنالهای دیجیتالی (DSP:Digital Signal Processing) استفاده شده است.

کلیدواژه ها : تصحیح ضریب توان، کنترل میانگین جریان، مبدل تمام پل، DSP

عنوان پروژه: مدل سازي، طراحي و بهينه سازي مبدل هاي آنالوگ به ديجيتال Pipline با دقت بالا

چکیده: در این پروژه مدل سازی خطا در مبدلهای آنالوگ به دیجیتال Pipeline از دیدگاه سیستمی مورد بررسی قرار گرفته است. یک روش جدید برای مدل کردن خطا در سیستم ارائه شده و با استفاده از آن پارامتر INL، به عنوان یکی از مهمترین معیارهای کارآیی سیستم، بر حسب خطاهای موجود در بلوکهای سیستم محاسبه شده است. مزیت عمده این روش، آن است که می تواند به میزان قابل توجهی زمان لازم برای طراحی سیستم را کاهش دهد. با استفاده از روش ارائه شده برای مدل سازی خطا، کارآیی دو نوع متداول مدارهای پردازش سیگنال آنالوگ نمونه برداری شده یعنی مدارهای کلید - خازن و مدارهای کلید - جریان مقایسه شده است. این مقایسه نشان می دهد مدارهای کلید - جریان که تاکنون کارآیی کمتری نسبت به مدارهای کلید - خازن داشته اند، دارای این پتانسیل هستند که در پروسه های جدید CMOS از مدارهای کلید - خازن پیشی گیرند. به شرطی که خطاهای عدم تطبیق در این مدارها با استفاده از روشهای جدید مداری و یا با استفاده از روشهای کالیبراسیون دیجیتال تا حد مطلوب کاهش یابد. در نهایت یک مبدل pipeline  12 بیتی با فرکانس نمونه برداری MS/s20 و توان مصرفی mW15 با استفاده از پروسه um 18و ولتاژ تغذیه V 1.5 طراحی شده است. استفاده از یک الگوریتم بهینه سازی مناسب، سبب شده است این مبدل به توان مصرفی پایینی در مقایسه با کارهای مشابه انجام شده دست پیدا کند.

کلیدواژه ها:تصحیح دیجیتالی خطا،مدارهای کلید – خازن،مدارهای کلید – جریان،بهینه سازی توان.

عنوان پروژه:آناليز امواج پلاسماي سطحي در مرز بلور فوتوني در حضور بار آزاد مرزي

چکیده: دراین گفتار به مطالعه برخی ساختارهای نوین مبتنی بر تداخل بار آزاد مرزی و موج الکترومغناطیسی در ساختارهای الگوسازی شده به شکل بلور فوتونی پرداخته ایم. پس از مرور مختصر کمی از مقدمات لازم، رسانائی در یک محیط فلزی را بررسی کرده و علت تغییرات آن را در فلزات مختلف شناسائی می کنیم. سپس تعدادی از روشهای حل مودال در معادلات الکترومغناطیسی را که از آنها استفاده شده، توضیح داده و نتیجه گرفتیم روش هائی که پدیده پاشندگی را در نظر میگیرند مناسب - ترند. با استفاده از این روش ها ابتدا ساختارهای چندلایه ناهمگون نیمه هادی را تحلیل کرده و با نتایج ساده قبلی مقایسه نمودیم و دیدیم که با حل دقیق تر آن، فرکانسهای موهومی دارای فرمی به ظاهر متعارف ساختار باندهای انرژی تشکیل میشود. ویژگیهای منحصر به فرد ابررساناها باعث شد تا در مرحله بعد چگالی زوج الکترونهای آزاد تشکیل شده در سطح ابررسانا در حضور میدان مغناطیسی ثابت خارجی را با کمک روابط مشهور گینزبرگ-لانداو محاسبه کرده و با استفاده از مدل دو-سیاله، بلور فوتونی مجازی حاصل را تحلیل کنیم. و در انتها ماده نسبتاً جدید گرافین به عنوان مادهای با رسانائی بالا و ساختار طبیعی تک لایه را با در نظر گرفتن فرم کامل تر رسانائی تحلیل کرده و تأثیر نقطه تکین فرکانسی و پتانسیل اعمالی از گیت خارجی به این ساختار را بررسی نمودیم. همچنین در ساختارهای فوق با به دست آوردن مدهای الکترومغناطیسی، تغییرات و تقارن های موجود در سلول واحد را برای امواج الکتریکی یا مغناطیسی مربوطه تحلیل کرده ایم.

کلیدواژه ها: الکترومغناطیسی، انتشار، پلاسمون، پلاریتون، بار آزاد مرزی، رسانائی، پاشندگی، ابررسانا.

عنوان پروژه: طراحي تقويت كننده توان كلاس AB با توان خروجي يك وات

چکیده: استفاده از سیگنال های فرکانس رادیویی جهت شناسایی اشیا در سالهای اخیر افزایش چشم گیری پیدا کرده است. امروزه کمبود یک خواننده که تمام بلوک های فرستنده و گیرنده آن روی یک تراشه قرار داشته باشند، احساس می شود. مشکل اساسی که مانع تحقق این خواسته شده است، تقویت کننده توان و مسائلی که پس از مجتمع سازی آن با بقیه بلوک ها پیش می آید است. در این پایان نامه یک تقویت کننده توان کلاسی AB برای استاندارد RFID و با ولتاژ تغذیه ۱۸ولت، توان خروجی تقویت کننده dBm 30 و با بازده توان اضافی ۵۰ درصد طراحی شدهاست. به منظور افزایش میزان خطینگی و همین طور کاهش اثر این تقویت کننده روی سایر بلوکهای سیستم فرستنده-گیرنده از ساختار دیفرانسیلی استفاده شده است. همچنین جهت افزایش میزان پایداری، هسته اصلی تقویت کننده توان با توپولوژی کسکود طراحی مشاوره پایان نامه شده است. مدار تبدیل امپدانس خروجی شامل یک مدار رزونانسی LC است.اضافه بر این، برای از بین بردن اثر خازن های پارازیتی از سلفهای روی تراشه استفاده شده است. یک پیش تقویت کننده نیز که دارای سه بیت کنترل می باشد، طراحی شده است. بنابراین در صورتی که اندازه سیگنال ورودی پیش تقویت کننده پس از طراحی نهایی سیستم تغییراتی داشته باشد، باتغییر میزان تقویت این طبقه، توان خروجی دلخواه بدست می آید. در این پایان نامه، انواع کلاس های تقویت کننده توان، روش های خطی سازی و همین طور شبکه های تطبیق نیز مورد بررسی کامل قرار گرفته اند.

کلیدواژه ها: تقویت کننده توان فرکانسی رادیویی، پیش تقویت کننده، نقاب طیفی، استاندارد RFID،خواننده، برچسب

عنوان پروژه: كاهش توان مصرفي در شبكه هاي روي تراشه با توجه به محتواي داده

چکیده: پیشرفت تکنولوژی نیمه هادیها، طراحی قطعات نیمه هادی را به سمت طراحی سیستم روی تراشه  برده است. در سیستمهای روی تراشه بدلیل وجود تعداد زیادی المان پردازشی، گذرگاه ها تبدیل به گلوگاهی شده اند که باعث عدم کارایی سیستم می شوند. شبکه روی تراشه  به عنوان راه حلی کارآمد و موثر برای حذف گذرگاهها و ایجاد یک بستر مناسب برای ارتباط بین المانهای پردازشی معرفی شده است. تاکنون تحقیقات مختلفی در زمینه شبکه روی تراشه انجام شده است؛ اما از آنجایی که معماری شبکه روی تراشه الهام گرفته از شبکه های میان ارتباطی و شبکه های مخابراتی است، پایان نامه تحقیقات انجام شده در زمینه شبکه روی تراشه نیز در همین راستا بودهاند. در این تحقیق قصد داریم تا توان مصرفی شبکه روی تراشه را با معیاری بسنجیم که در توان مصرفی شبکه های میان ارتباطی و مخابراتی تاثیر گذار نیست اما در توان مصرفی شبکه های روی تراشه تاثیر زیادی دارد. این عامل میزان فعالیت دادههای موجود در یک بسته است. در این تحقیقابتدا تحلیلی روی اثر محتوای دادهها انجام خواهیم داد و سپس پس از معرفی آرایش جدیدی از رمزکننده BI نشان خواهیم داد که با استفاده از این رمز کننده، می توان، توان شبکه را تا ۹۵ درصد کاهش داد. در پایان نیز یک روش جدید رمزگذاری بر پایه روشهای قدیمی رمزگذاری ارائه می کنیم و نشان می دهیم روش ارائه شده در این تحقیق تا ۱۰ درصد بهتر از روش BI عمل می کند.

کلیدواژه ها: شبکه روی تراشه، طراحی کم توان، رمزگذاری، فعالیت داده

انجام پایان نامه مهندسی برق